发明授权
- 专利标题: 一种两端电位悬浮的中子发生器
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申请号: CN202111681002.8申请日: 2021-12-31
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公开(公告)号: CN114340132B公开(公告)日: 2023-05-26
- 发明人: 柯建林 , 刘百力 , 娄本超 , 胡永宏 , 伍春雷 , 刘湾 , 刘猛
- 申请人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
- 申请人地址: 四川省绵阳市绵山路64号
- 专利权人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市绵山路64号
- 代理机构: 中国工程物理研究院专利中心
- 代理商 翟长明
- 主分类号: H05H3/06
- IPC分类号: H05H3/06
摘要:
本发明公开了一种两端电位悬浮的中子发生器,其特征在于,该中子发生器包括正高压平台、离子源、正加速间隙、真空腔室、负加速间隙、靶和负高压平台,其特征在于:离子源安装在正高压平台上,并与正加速间隙相连,正加速间隙与负加速间隙通过真空腔室相连,靶安装在负高压平台上,并与负加速间隙相连;离子源和靶分别同时位于正高压平台和负高压平台上;正高压平台位于第一金属腔内,第一金属腔内填充气态或液态绝缘介质;负高压平台位于第二金属腔内。本发明采用离子源和靶两端电位悬浮的结构提高中子发生器的氘离子能量,从而在非常紧凑的结构下提高中子发生器的中子产额。
公开/授权文献
- CN114340132A 一种两端电位悬浮的中子发生器 公开/授权日:2022-04-12
IPC分类: