本发明涉及高通量制备碳纳米管垂直阵列领域，具体为一种高通量筛选工艺参数优化碳纳米管垂直阵列高度和质量的方法。采用组合掩模板辅助离子束镀膜，在基底上沉积不同组分的催化剂阵列，利用化学气相沉积方法优化反应参数生长碳纳米管垂直阵列；高通量表征产物结构，利用扫描电子显微镜面扫获得催化剂阵列生长碳纳米管垂直阵列的形貌，利用激光拉曼光谱表征碳纳米管垂直阵列的高度和质量；使用透射电子显微镜精细表征碳纳米管垂直阵列的直径分布和管壁数。最终建立工艺参数(如催化剂组分、生长温度、反应气氛等)与生长碳纳米管垂直阵列高度和质量的关系。此方法适用于高效筛选工艺参数，制备高质量和大长度的碳纳米管垂直阵列。