一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法
摘要:
本发明涉及电子陶瓷材料领域,具体为一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法,由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成;所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5;所述烧结助剂LiAlO2与氟化物组成;所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1‑xMnx)1/3Nb2/3]O3,0<x≤0.4,本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在36‑38之间稳定波动,介电损耗小,品质因子高,谐振频率温度系数无限接近于零,用于电子设备中漂移程度小,可以保证工作稳定性。
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