- 专利标题: 一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法
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申请号: CN202210013234.4申请日: 2022-01-07
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公开(公告)号: CN114349504B公开(公告)日: 2022-12-23
- 发明人: 方豪杰 , 贺亦文 , 张晓云 , 曾雄 , 张斗 , 黄荣厦 , 龙莹
- 申请人: 湖南省美程陶瓷科技有限公司
- 申请人地址: 湖南省娄底市新化县经济开发区向红工业园
- 专利权人: 湖南省美程陶瓷科技有限公司
- 当前专利权人: 湖南省美程陶瓷科技有限公司
- 当前专利权人地址: 湖南省娄底市新化县经济开发区向红工业园
- 代理机构: 长沙大珂知识产权代理事务所
- 代理商 邓文娟
- 主分类号: C04B35/495
- IPC分类号: C04B35/495 ; C04B35/622
摘要:
本发明涉及电子陶瓷材料领域,具体为一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法,由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成;所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5;所述烧结助剂LiAlO2与氟化物组成;所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1‑xMnx)1/3Nb2/3]O3,0<x≤0.4,本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在36‑38之间稳定波动,介电损耗小,品质因子高,谐振频率温度系数无限接近于零,用于电子设备中漂移程度小,可以保证工作稳定性。
公开/授权文献
- CN114349504A 一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法 公开/授权日:2022-04-15
IPC分类: