发明授权
摘要：
本发明涉及声屏障顶部降噪结构，由穿孔板结构和二次余数扩散结构组合而成，所述的二次余数扩散结构由设置在穿孔板结构内部空腔中的多个槽组成，所述的穿孔板结构的声阻抗与二次余数扩散结构中各槽的声阻抗匹配。与现有技术相比，本发明在100‑2000Hz的频率范围，均可实现良好的降噪效果。
公开/授权文献
- CN114351607A 声屏障顶部降噪结构 公开/授权日：2022-04-15
