发明授权
- 专利标题: 低压基准电压产生电路及芯片
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申请号: CN202111386539.1申请日: 2021-11-22
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公开(公告)号: CN114356014B公开(公告)日: 2024-03-15
- 发明人: 李振国 , 王于波 , 胡毅 , 李德建 , 张喆 , 侯佳力 , 苏萌 , 宋海飞 , 张帆
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区南邵镇南中路电网产业大厦; ; ;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国网浙江省电力有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国网浙江省电力有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区南邵镇南中路电网产业大厦; ; ;
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 花丽
- 主分类号: G05F1/567
- IPC分类号: G05F1/567
摘要:
本发明公开了一种低压基准电压产生电路及芯片,其中电路包括基准电流源模块、缓冲器模块和高阶温度补偿模块,其中,基准电流源模块用于分别向缓冲器模块和高阶温度补偿模块提供零温度电流,并向缓冲器模块提供负温度特性电压;缓冲器模块用于根据零温度电流生成具有正温度特性的失调电压,并将失调电压与负温度特性电压进行叠加,以输出第一带隙基准电压;高阶温度补偿模块用于根据零温度电流对第一带隙基准电压进行高阶温度补偿,以使缓冲器模块输出低温漂带隙基准电压。由此,不仅可以实现低温漂带隙基准电压的输出,还可以使低工作电压处于宽工作电压范围,同时还可以降低电路设计复杂度以及功耗消耗。
公开/授权文献
- CN114356014A 低压基准电压产生电路及芯片 公开/授权日:2022-04-15
IPC分类: