本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种增强AlScN薄膜C轴取向的方法。所述步骤包括：将Al靶、具有不同Sc含量的过渡AlSc靶以及目标AlSc靶装入磁控溅射设备，通入工作气体，调节溅射气压、气体比例和溅射功率；按Al靶、Sc含量由高到低的过渡AlSc靶以及目标AlSc靶的顺序，依次在衬底上进行溅射；结束沉积过程后，降温即得到Sc含量与目标AlSc靶金属元素原子百分比一致的高C轴取向AlScN薄膜。本发明采用的方法能够在制备高Sc含量AlScN薄膜时，改善AlScN形核生长初期晶格畸变造成的取向紊乱，进一步增强AlScN薄膜的C轴择优取向，提高其压电性能。