本申请实施例公开了一种DRAM刷新电路和刷新方法、工作量证明芯片；所述DRAM刷新电路包括：行地址记录单元，用于记录本刷新周期内所述DRAM中被访问过的行；刷新驱动单元，用于被调用进行刷新操作；刷新控制单元，用于在被触发刷新时，根据所述行地址记录单元的记录，调用所述刷新驱动单元对所述DRAM中本刷新周期内未被访问的行进行刷新。本申请实施例可以减少刷新行数，降低DRAM刷新所耗费的时间，应用在芯片中时可以提高芯片工作效率和性能。