本发明公开一种有源晶圆键合架构的CMUT‑on‑CMOS的超声换能器，它以有预制CMOS器件的有源晶圆键合为基础，将CMUT器件与CMOS器件通过晶圆键合，减薄，三维金属垂直互连等流程，实现高密度超声换能器与多层CMOS电路的单片系统集成。本发明同时公开这种有源晶圆键合架构的CMUT‑on‑CMOS的超声换能器的制造方法。其中，所采用的有源晶圆键合及减薄技术，以及晶圆之间的垂直互连，能够在8寸与12寸晶圆制程实现。本发明公开的工艺流程，不需要使用昂贵的SOI材料就能实现单晶硅振动机械层，工艺经济，集成度高，容易大规模生产。