- 专利标题: 一种中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的制备方法及其产品
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申请号: CN202210088162.X申请日: 2022-01-25
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公开(公告)号: CN114408970B公开(公告)日: 2023-07-18
- 发明人: 谢广新 , 刘青山 , 周贤菊 , 张静 , 李建宇 , 张家鑫 , 杨江渝 , 伍键 , 王俊北 , 马星宇 , 左良军 , 丁永希 , 罗葳洺
- 申请人: 重庆邮电大学
- 申请人地址: 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
- 专利权人: 重庆邮电大学
- 当前专利权人: 重庆邮电大学
- 当前专利权人地址: 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
- 代理机构: 北京同恒源知识产权代理有限公司
- 代理商 赵荣之
- 主分类号: B01J23/08
- IPC分类号: B01J23/08 ; C01G15/00 ; B01J20/02 ; B01J32/00 ; B01J35/08
摘要:
本发明涉及一种中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的制备方法及其产品,属于无机/金属杂化材料制备技术领域。本发明主要是利用水热法使聚苯乙烯/丙烯酸纳米球和硝酸镓在表面活性剂(十二烷基苯磺酸钠)的作用下反应,然后再经过高温煅烧得到中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球。本发明的制备方法简单、容易操作,适于中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的工业化大量生产。本发明制备的中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的晶型为β‑Ga2O3,形貌中空介孔呈球形(直径为600~800nm、中空介孔纳米球的空心内径为200~300nm、孔径分布在2~6nm之间),具有比表面积大、表面活性高、光吸收性能好且吸收紫外线能力强等独特的性能。
公开/授权文献
- CN114408970A 一种中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的制备方法及其产品 公开/授权日:2022-04-29