- 专利标题： 一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法
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申请号： CN202210336244.1申请日： 2022-04-01
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公开(公告)号： CN114420547B公开(公告)日： 2022-06-07
- 发明人: 宋富冉 , 周儒领 , 黄厚恒
- 申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理商 王积毅
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/266 ; H01L21/8244 ; H01L27/11
摘要：
本发明提供一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法，所述光阻层移除方法包括以下步骤：提供一半导体层；形成抗反射层于所述半导体层上；形成光阻层于所述抗反射层上；蚀刻所述光阻层和所述抗反射层，形成图案化的所述光阻层和所述抗反射层；以所述光阻层和所述抗反射层为掩膜，向所述半导体层植入离子；以及移除所述光阻层和所述抗反射层。通过本发明提供的一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法，能够解决光阻残留问题。
公开/授权文献
- CN114420547A 一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法 公开/授权日：2022-04-29
IPC分类:
