Invention Publication
- Patent Title: 一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器
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Application No.: CN202210123375.1Application Date: 2022-02-10
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Publication No.: CN114420783APublication Date: 2022-04-29
- Inventor: 李冠海 , 李鑫 , 陈健 , 陈金 , 郁菲茏 , 赵增月 , 陶玲 , 李志锋 , 陈效双 , 陆卫
- Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
- Applicant Address: 上海市虹口区玉田路500号
- Assignee: 中国科学院上海技术物理研究所
- Current Assignee: 中国科学院上海技术物理研究所
- Current Assignee Address: 上海市虹口区玉田路500号
- Agency: 上海沪慧律师事务所
- Agent 郭英
- Main IPC: H01L31/107
- IPC: H01L31/107 ; H01L31/0352 ; H01L31/18

Abstract:
本发明公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器,包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上;光子从衬底入射,P型层上的阴极引出端接电源的负极,N型层上的阳极引出端接电源的正极,光子被第一吸收层,第二吸收层所吸收,且在第一吸收层和I型层进行倍增。本发明工艺简单,设计紧凑,同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流,提高增益。
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