- 专利标题: 一种中空结构的SnO2-NiO纳米管的制备及在超级电容器中的应用
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申请号: CN202210021871.6申请日: 2022-01-10
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公开(公告)号: CN114426302A公开(公告)日: 2022-05-03
- 发明人: 张一卫 , 李同飞 , 徐林 , 孙冬梅 , 唐亚文
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 曹坤
- 主分类号: C01G19/02
- IPC分类号: C01G19/02 ; C01G53/04 ; H01G11/24 ; H01G11/46
摘要:
本发明公开了一种中空结构的SnO2‑NiO纳米管的制备及在超级电容器中的应用。属于纳米材料技术领域;步骤:1、利用PVP表面含氧官能团和过渡金属间的静电吸附的方法,制备Sn4+/Ni2+/PVP混合溶胶;2、将Sn4+/Ni2+/PVP混合溶胶经过静电纺丝的技术,得到固体碳纤维薄膜;3、将固体碳纤维薄膜先进行预氧化再进行氧化处理,得中空结构的SnO2‑NiO纳米管。本发明避开了常规的制备中空纳米结构,如软硬模板法,离子交换法和水热反应等合成方法带来的流程繁琐及安全环保等问题。同时,本发明所选用的PVP、Sn2+、Ni2+组成可调,电化学活性及稳定性高,便于批量生产等优点,其作为赝电容材料在超级电容器测试中表现出了更高的比容量和稳定性,具备实际生产应用中瞬间大电流放电的功率特性和循环稳定性。
IPC分类: