本申请提供一种膜层生长设备及膜层生长方法，包括旋转基盘，旋转基盘上放置待处理衬底，待处理衬底在旋转基盘上的放置位置与旋转基盘的旋转中心之间的距离为目标距离，目标距离与待处理衬底的尺寸的比值大于或等于第一阈值，第一阈值根据待处理衬底受到的离心力确定。也就是说，当目标距离与待处理衬底的尺寸的比值大于或等于第一阈值时，旋转基盘带动待处理衬底进行旋转，待处理衬底的不同区域受到的离心力接近，由于待处理衬底的不同区域受到的离心力接近，在待处理衬底不同区域形成的膜层厚度较为均匀，能够提升旋涂法制造形成膜层的性能，进而提高半导体器件的性能。