- 专利标题: 激光共振电离质谱测试用电沉积制源装置及Sn源制备方法
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申请号: CN202210112497.0申请日: 2022-01-29
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公开(公告)号: CN114481267A公开(公告)日: 2022-05-13
- 发明人: 王江帆 , 凡金龙 , 王文亮 , 张享波 , 翟利华 , 沈小攀 , 李志明 , 冯磊
- 申请人: 西北核技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 主分类号: C25D17/00
- IPC分类号: C25D17/00 ; C25D21/02 ; C25D21/08 ; C25D5/48 ; C25D7/00 ; G01N1/28 ; G01N1/44 ; G01N27/64
摘要:
本发明属于电沉积技术领域,为解决现有的电沉积制源不能在可控微区内的铼带表面中心直接进行电沉积制源以满足LRIMS测试要求的问题,而提供了一种激光共振电离质谱测试用电沉积制源装置及Sn源制备方法。所述装置包括样品测试台架和电沉积制源仪,测试台架固定在电沉积制源仪上;能够在LRIMS测试台架的铼带表面中心3mm×0.7mm的微区内直接进行电沉积制源的装置,且基于此装置制备的Sn源与铼带衬底结合牢固,电沉积收率大于90%,显著提高了Sn在激光共振电离质谱测试过程中的原子化效率。
公开/授权文献
- CN114481267B 激光共振电离质谱测试用电沉积制源装置及Sn源制备方法 公开/授权日:2023-04-18