Invention Publication
- Patent Title: PMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制造方法
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Application No.: CN202210271083.2Application Date: 2022-03-18
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Publication No.: CN114486014APublication Date: 2022-05-13
- Inventor: 李晖 , 尹峰
- Applicant: 浙江仙声科技有限公司
- Applicant Address: 浙江省台州市仙居县白塔镇经济开发区白塔工业集聚区
- Assignee: 浙江仙声科技有限公司
- Current Assignee: 浙江仙声科技有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省台州市仙居县白塔镇经济开发区白塔工业集聚区
- Main IPC: G01L1/18
- IPC: G01L1/18 ; H01L23/535 ; B81B7/02 ; B81C3/00 ; H01L21/50
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Abstract:
本发明公开一种PMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制造方法,把MEMS压力传感器与PMUT超声换能器单片集成,将MEMS压力传感器的输出信号叠加进PMUT的输出信号,提升整体响应,增强超声探头的灵敏度。本发明同时公开所述PMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元的制造方法,采用有源晶圆键合及减薄技术,将CMOS晶圆与MEMS压力传感器晶圆堆叠,进而制造PMUT‑on‑CMOS,实现垂直互连的三维立体架构,显著提高了芯片集成度。
Public/Granted literature
- CN114486014B PMUT结合MEMS压力传感器的超声换能器单元、阵列及制造方法 Public/Granted day:2022-11-22
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