发明公开
- 专利标题： 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备
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申请号： CN202111482407.9申请日： 2021-12-06
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公开(公告)号： CN114497028A公开(公告)日： 2022-05-13
- 发明人: 李恋恋 , 都安彦 , 田国良 , 杨红 , 罗军 , 王文武
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L21/3105
摘要：
本公开提供一种半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备，其中半导体集成电路器件包括：半导体衬底，具有在其中设置的至少一对相邻的第一区域，以及在相邻的一对第一区域之间设置的第二区域；其中，在所述第一区域中具有Dummy图案。该半导体集成电路器件，通过在低的图案密度区域中增加Dummy图案，避免半导体集成电路器件在经过化学机械抛光后，表面出现蝶形缺陷，进而提高了半导体集成电路器件制备过程中的效率和良率。