Invention Grant
- Patent Title: 低渗透油藏污染井产能计算方法、电子设备及存储介质
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Application No.: CN202210407482.7Application Date: 2022-04-19
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Publication No.: CN114510847BPublication Date: 2022-06-21
- Inventor: 蒋燕聪 , 何勇明 , 孙双双 , 王子嘉 , 尹霜 , 刘逸盛 , 李怡
- Applicant: 成都理工大学
- Applicant Address: 四川省成都市成华区二仙桥东三路1号
- Assignee: 成都理工大学
- Current Assignee: 成都理工大学
- Current Assignee Address: 四川省成都市成华区二仙桥东三路1号
- Agency: 成都正德明志知识产权代理有限公司
- Agent 张小娟
- Main IPC: G06F30/20
- IPC: G06F30/20 ; G06F17/18 ; G06F113/08 ; G06F119/14
Abstract:
本发明公开了一种低渗透油藏污染井产能计算方法、电子设备及存储介质,本发明在非达西渗流和流体连续性的基础上,综合考虑了造成低渗透油藏非线性渗流特征的启动压力梯度、应力敏感效应、流体压缩性及地层污染对低渗透油藏渗流机理和产能的影响,建立了一种低渗透油藏污染井产能计算方法。该方法为解析方法,能够较为便捷的确定低渗透油藏开发过程中油井污染后的理论产能,能够指导油井配产,能够确定启动压力梯度、应力敏感性、流体压缩性以及地层污染对产能的影响程度,进而采取合理的生产压差进行开采,提高油藏采收率,对于合理开发低渗透油藏具有重要的指导意义。
Public/Granted literature
- CN114510847A 低渗透油藏污染井产能计算方法、电子设备及存储介质 Public/Granted day:2022-05-17
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