本发明公开了一种基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取金刚石衬底并进行预处理；在所述金刚石衬底表面形成溅射AlON过渡层；在溅射AlON过渡层上依次生长GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及GaN帽层；在GaN帽层上制作金属电极以完成器件的制备。本发明通过在金刚石衬底与GaN缓冲层之间引入溅射AlON过渡层，可以实现在金刚石衬底上直接生长GaN及其异质结构，避免了传统方法中的衬底剥离和键合技术对器件造成的影响，提高了器件性能，且工艺简单。