发明公开
- 专利标题: 氧化镓薄膜氢气传感器制备方法及氧化镓薄膜氢气传感器
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申请号: CN202210206424.8申请日: 2022-03-01
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公开(公告)号: CN114577863A公开(公告)日: 2022-06-03
- 发明人: 杨旭 , 罗传仙 , 文豪 , 周正钦 , 黄勤清 , 邱虎 , 张静 , 周盟 , 陈佳 , 郑一鸣
- 申请人: 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国网浙江省电力有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞瑜路143号; ; ;
- 专利权人: 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司,国网电力科学研究院有限公司,国网浙江省电力有限公司电力科学研究院,国网浙江省电力有限公司
- 当前专利权人: 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司,国网电力科学研究院有限公司,国网浙江省电力有限公司电力科学研究院,国网浙江省电力有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞瑜路143号; ; ;
- 代理机构: 武汉开元知识产权代理有限公司
- 代理商 潘杰; 冯超
- 主分类号: G01N27/12
- IPC分类号: G01N27/12
摘要:
本发明公开一种氧化镓薄膜氢气传感器制备方法及氧化镓薄膜氢气传感器,该方法包括:对FTO玻璃基底的导电面进行清洗和干燥处理,在干燥后的FTO玻璃基底的导电面贴上绝缘胶带,以绝缘胶带覆盖区域作为电极;对FTO玻璃基底进行臭氧清洗;将臭氧清洗后的FTO玻璃基底置于含有镓离子的水热反应溶液中进行水热反应,以在FTO玻璃基底的导电面生长出氧化镓纳米阵列薄膜;对氧化镓纳米阵列薄膜进行退火处理,之后将掩膜版覆盖在所述氧化镓纳米阵列薄膜表面制备顶电极;然后去除绝缘胶带,露出底电极;从而获得附着有氧化镓纳米阵列薄膜层的氢气传感器。