发明授权
- 专利标题: 一种高纯锑化镉的制备方法和应用
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申请号: CN202210256182.3申请日: 2022-03-15
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公开(公告)号: CN114590837B公开(公告)日: 2023-09-01
- 发明人: 文崇斌 , 周荣艳 , 朱刘 , 童培云
- 申请人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
- 申请人地址: 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区
- 专利权人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
- 当前专利权人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区
- 代理机构: 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 陈静
- 主分类号: C01G30/00
- IPC分类号: C01G30/00
摘要:
本发明提供了一种高纯锑化镉的制备方法和应用,属于材料制备领域。本发明制备方法包括以下步骤:(1)将锑源和镉源置于反应容器中;所述锑源和镉源的摩尔比为:1:(1.1~1.5);(2)将步骤(1)的反应容器置于惰性气氛中进行程序烧结处理后,随炉降温即可得到高纯锑化镉。本发明巧妙的利用镉和锑单质熔融后饱和蒸气压的差距,采用熔融镉、熔融锑化镉、熔融锑三个保温阶段的煅烧,在保证镉能将锑完全反应的同时,降低产品中游离镉的含量,制备出接近化学计量比的高纯锑化镉。
公开/授权文献
- CN114590837A 一种高纯锑化镉的制备方法和应用 公开/授权日:2022-06-07