- 专利标题: 一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DCA电路及方法
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申请号: CN202210497461.9申请日: 2022-05-09
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公开(公告)号: CN114597254A公开(公告)日: 2022-06-07
- 发明人: 叶镭 , 徐浪浪 , 黄鑫宇 , 童磊 , 李政 , 彭追日 , 缪向水
- 申请人: 华中科技大学 , 湖北江城实验室
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 专利权人: 华中科技大学,湖北江城实验室
- 当前专利权人: 华中科技大学,湖北江城实验室
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 代理机构: 武汉华之喻知识产权代理有限公司
- 代理商 邓彦彦; 廖盈春
- 主分类号: H01L29/24
- IPC分类号: H01L29/24 ; H01L21/34 ; H01L29/788 ; H03M1/12 ; H03M1/66
摘要:
本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DCA电路及方法,基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性,其中浮栅可以存储电阻信息,当信息写入后即便不加栅压也能保留信息,因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料,有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中,ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元,本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件,在二维材料半导体领域中,可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题,有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
公开/授权文献
- CN114597254B 一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DAC电路及方法 公开/授权日:2022-08-16
IPC分类: