- 专利标题: 一种基于金属预合金化的高熵陶瓷材料及其制备方法
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申请号: CN202210336920.5申请日: 2022-03-31
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公开(公告)号: CN114605154B公开(公告)日: 2023-03-03
- 发明人: 祖宇飞 , 田洪亮 , 王梓 , 刘应军 , 李丹丹 , 代吉祥 , 沙建军 , 陈国清
- 申请人: 大连理工大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 代理机构: 大连理工大学专利中心
- 代理商 刘秋彤
- 主分类号: C04B35/56
- IPC分类号: C04B35/56 ; C04B35/565 ; C04B35/58 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; C04B35/64 ; C04B35/645 ; B22F9/04 ; B22F3/14
摘要:
本发明属于高熵陶瓷制备方法领域,具体涉及一种基于金属预合金化的高熵陶瓷材料及其制备方法。以第IV副族、第V副族或第VI副族的金属作为高熵陶瓷材料的金属元素,先通过球磨法将金属元素进行合金化形成单一BCC结构的多主元固溶体,再向多主元固溶体中添加非金属元素,利用热压烧结或放电等离子烧结使非金属元素与多主元固溶体发生反应生成高熵陶瓷材料。利用该方法可以实现在较低的温度与压力下制备高熵陶瓷材料,且所得陶瓷组元稳定、成分均匀、无偏析、无氧化物残留等缺陷,在材料性能的提升与产品制备的成本控制方面均有益处。
公开/授权文献
- CN114605154A 一种基于金属预合金化的高熵陶瓷材料及其制备方法 公开/授权日:2022-06-10
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