本发明公开了VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统、仿真设备及存储介质。涉及仿真技术领域。将ESD防护加入VDMOS器件的仿真结构中，使得VDMOS应对外界电磁脉冲的自身条件更接近现实，可有效指导VDMOS电磁脉冲防护设计。仿真方法包括：构建模型，模型包括仿真模型和对比模型，仿真模型包括第一VDMOS以及与第一VDMOS电连接的静电防护结构，对比模型包括第二VDMOS；对对比模型所包括的第二VDMOS施加电磁脉冲，并获得脉冲曲线，以仿真第二VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系；对对比模型所包括的第二VDMOS所包括的栅氧层击穿的电磁脉冲阈值条件进行仿真，确定电磁脉冲阈值。对仿真模型所包括的电极施加电流脉冲，获得脉冲曲线，以仿真第一VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系。