本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法。半导体器件结构包括：互连导电层，互连导电层内具有开口；第一蚀刻停止层，位于互连导电层上；电容，位于第一蚀刻停止层上，且位于开口的正上方，并与开口的边缘具有间距。本发明的半导体器件结构，通过设置电容位于互连导电层内的开口的正上方，且与开口的边缘具有间距，此情况下，即使互连导电层受温度或应力等的影响发生变形产生凸起，也不会导致电容与互连导电层相连接造成短路；甚至即使是连接电容的上下电极板的互连插塞贯穿到互连导电层所在的层，由于电容正下方为开口，也不会导致电容与互连导电层相连接造成短路，因此可以降低器件失效数量，提升器件性能，提高产品良率。