发明公开
- 专利标题： 一种芯片逆变器用低损耗铁镍软磁粉心的制备方法
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申请号： CN202210363242.1申请日： 2022-04-07
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公开(公告)号： CN114664554A公开(公告)日： 2022-06-24
- 发明人: 汤凤林
- 申请人： 扬州领创新材料科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省扬州市江都区文昌东路1449号
- 专利权人： 扬州领创新材料科技有限公司
- 当前专利权人： 扬州领创新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省扬州市江都区文昌东路1449号
- 代理机构： 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- 代理商 乔恒婷
- 主分类号： H01F41/02
- IPC分类号： H01F41/02 ; H01F1/147 ; H01F27/255 ; H01F27/34
摘要：
本发明公开了一种芯片逆变器用低损耗铁镍软磁粉心的制备方法，通过选用粒度小于200目的铁镍软磁粉末，用1000目的凹凸棒土粉末粉末对铁镍粉末颗粒表面进行无损包覆处理，制备出了有效磁导率为60的铁镍软磁粉心，具备优良的软磁性能，尤其是能够大幅提升铁镍粉心的Q值和损耗性能，在50kHz、100mT条件下的体积损耗Pcv低于130mW/cm3。
