- 专利标题: 量子点配体交换方法、量子点薄膜的制备方法和QLED器件
-
申请号: CN202011567168.2申请日: 2020-12-25
-
公开(公告)号: CN114672315B公开(公告)日: 2024-10-18
- 发明人: 聂志文
- 申请人: TCL科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 专利权人: TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 代理机构: 深圳中一联合知识产权代理有限公司
- 代理商 郝文婷
- 主分类号: C09K11/88
- IPC分类号: C09K11/88 ; C09K11/02 ; C09K11/56 ; B82Y20/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; C09D5/22 ; H10K50/115
摘要:
本申请涉及量子点技术领域,提供了一种量子点配体交换方法、量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点配体交换方法,包括如下步骤:提供含第一配体的第一量子点溶液;在非活性气氛下,将第一量子点溶液和反应物混合,进行回流处理,得到表面含有第二配体的量子点溶液,所述第一配体的配位能力比所述第二配体的配位能力弱;该方法适用于利用弱配体置换强配体的情况,同时能够有效避免量子点原有配体的浪费、实现原有配体的科学合理利用,具有简单、温和、有效、快捷,普适性强,资源回收利用的优点。
公开/授权文献
- CN114672315A 量子点配体交换方法、量子点薄膜的制备方法和QLED器件 公开/授权日:2022-06-28