一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，位于衬底上并且包括位于第一水平高度处的鳍顶表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及绝缘结构，位于所述鳍型有源区的侧壁上。所述绝缘结构包括：第一绝缘衬垫，与所述鳍型有源区的侧壁接触；第二绝缘衬垫，位于所述第一绝缘衬垫上，并且包括位于比所述第一水平高度低的第二水平高度处的最上部；下掩埋绝缘层，面对所述鳍型有源区的侧壁，并且包括在比所述第二水平高度低的第三水平高度处面对所述栅极线的第一顶表面；以及上掩埋绝缘层，位于所述下掩埋绝缘层与所述栅极线之间，并且包括位于等于或高于所述第二水平高度的第四水平高度处的第二顶表面。