发明公开
CN114740943A 一种低噪声带隙基准电路
审中-实审
- 专利标题： 一种低噪声带隙基准电路
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申请号： CN202210576746.1申请日： 2022-05-25
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公开(公告)号： CN114740943A公开(公告)日： 2022-07-12
- 发明人: 王尧 , 程理丽 , 贾世旺 , 赵飞 , 韩威
- 申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
- 申请人地址： 河北省石家庄市中山西路589号第五十四所微系统中心
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
- 当前专利权人地址： 河北省石家庄市中山西路589号第五十四所微系统中心
- 代理机构： 河北东尚律师事务所
- 代理商 王文庆
- 主分类号： G05F1/567
- IPC分类号： G05F1/567
摘要：
本发明公开了一种低噪声带隙基准电路，涉及硅基电源领域。该电路包括偏置电流产生模块、稳定性补偿模块、带隙基准电压产生模块；偏置电流产生模块包括第一~第六晶体管、第一~第二三极管、第一~第三电阻；稳定性补偿模块包括第四电阻和第一电容；带隙基准电压产生模块包括第七~第八晶体管、第五~第九电阻、第三~第四三极管。本发明适于CMOS工艺实现，具有输出噪声电压低、温度特性高、架构简单的特点，可以实现低噪声的带隙基准电路。
IPC分类:
