发明公开
- 专利标题： 一种高介电常数高分子薄膜材料及其制备方法
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申请号： CN202210280000.6申请日： 2022-03-21
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公开(公告)号： CN114752208A公开(公告)日： 2022-07-15
- 发明人: 陈玉洁 , 郭宇通 , 刘河洲 , 李华
- 申请人： 上海交通大学 , 马鞍山经济技术开发区建设投资有限公司
- 申请人地址： 安徽省马鞍山市阳湖路398号富马智赢科技园14栋四楼;
- 专利权人： 上海交通大学,马鞍山经济技术开发区建设投资有限公司
- 当前专利权人： 上海交通大学,马鞍山经济技术开发区建设投资有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省马鞍山市阳湖路398号富马智赢科技园14栋四楼;
- 代理机构： 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 蒋亮珠
- 主分类号： C08L75/06
- IPC分类号： C08L75/06 ; C08L71/02 ; C08K5/23 ; C08G18/69 ; C08G18/42 ; C07C245/08 ; C08J5/18
摘要：
本发明涉及高介电常数高分子薄膜材料及其制备方法，包括以下重量份含量的组分：羟基封端聚丁二烯30‑62.5份，羟基封端聚己内酯15‑32份,二异氰酸酯8‑21份，聚乙二醇11‑25份，偶氮苯0.5‑3份。与现有技术相比，本发明高分子材料通过引入聚己内酯和聚丁二烯提高材料的力学性能，而聚乙二醇和偶氮苯提高材料分子极性从而使材料的介电常数显著增加，本发明所得的高分子薄膜可以同时具有良好力学性能和较高的介电常数。
