- 专利标题: 一种三维钠铋硫花状微球结构及其制备方法及其在宽光谱光电探测器中的应用
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申请号: CN202210395407.3申请日: 2022-04-14
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公开(公告)号: CN114758896A公开(公告)日: 2022-07-15
- 发明人: 高世勇 , 容萍 , 王金忠 , 任帅 , 张勇 , 贾杰
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 王新雨
- 主分类号: H01G9/042
- IPC分类号: H01G9/042 ; H01G9/20 ; C01G29/00 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00 ; B82Y15/00
摘要:
一种三维钠铋硫花状微球结构的制备方法及其在宽光谱光电探测器中的应用,所述NaBiS2是由许多个二维NaBiS2纳米片组装而成的花状微球分层结构,每个二维NaBiS2纳米片都是由大量的薄片相互规则交织形成。以制备的NaBiS2花状微球作为主体材料,构造了光电探测器。本发明所制备的NaBiS2花状微球探测器能够实现从紫外、可见到红外波段的宽光谱探测,并且在零偏压条件下即可工作。本发明合成了一种具有独特三维分层结构的NaBiS2花状微球,并基于其制备了高灵敏度的自供能宽光谱光电探测器,拓展了NaBiS2材料在光电探测领域的应用。