本发明提供一种基于push‑push的二三倍频器，包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、中和电容Cp1、中和电容Cp2、变压器TR2；变压器TR1的初级线圈一端连接Port_I N端，另一端接地，变压器TR1的次级线圈一端接NMOS晶体管M1的栅极、中和电容Cp1的一端，变压器TR1的次级线圈另一端接NMOS晶体管M2的栅极，中和电容Cp2的一端。本发明基于push‑push结构，同时加入中和电容，提高了该倍频器的转化增益。同时利用变压器来区分和提取二次信号、三次信号。对于三次信号，采用I LB进行缓冲放大，提高了三次谐波信号的基波抑制度。同时输出二次和三次信号，提高了电路的输出带宽，该结构降低了整体版图面积和功耗。