发明授权
- 专利标题: 二硫化钼在电解分离氢同位素中的应用
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申请号: CN202210473879.6申请日: 2022-04-29
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公开(公告)号: CN114768530B公开(公告)日: 2023-03-28
- 发明人: 赵庆凯 , 王绪 , 唐灿 , 陈长安 , 庞敏 , 王怡 , 李顺 , 刘春雨
- 申请人: 中国工程物理研究院材料研究所
- 申请人地址: 四川省绵阳市江油市华丰新村9号
- 专利权人: 中国工程物理研究院材料研究所
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院材料研究所
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市江油市华丰新村9号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 王苗苗
- 主分类号: B01D59/40
- IPC分类号: B01D59/40
摘要:
本发明属于电化学催化技术领域,具体涉及一种二硫化钼在电解分离氢同位素中的应用,所述二硫化钼的结构为纳米花状,所述二硫化钼的比表面积为20.8~97.7m2/g。本发明以纳米花状的二硫化钼用于电解氢同位素分离,纳米花状的二硫化钼具有较大的比表面积,且暴露了大量的边缘活性点位,在用于电解分离氢同位素时,具有较低的析氢过电位;同时,因为二硫化钼活性点位与氢同位素H、D、T的结合能差异较大,因此,当二硫化钼用于电解氢同位素分离,具有较强的选择性(氢氘分离因子)。实施例的数据表明,二硫化钼用于电解氢同位素分离的氢氘分离因子为8.55~10.22。
公开/授权文献
- CN114768530A 二硫化钼在电解分离氢同位素中的应用 公开/授权日:2022-07-22