- 专利标题: 一种具有良好烧穿氮化硅层能力的铝浆及其制备方法
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申请号: CN202210392321.5申请日: 2022-04-14
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公开(公告)号: CN114783651A公开(公告)日: 2022-07-22
- 发明人: 谢欣 , 刘细莲 , 陈金 , 丁冰冰 , 马进
- 申请人: 广州市儒兴科技股份有限公司 , 无锡市儒兴科技开发有限公司
- 申请人地址: 广东省广州市萝岗区瑞发路16号(1)栋;
- 专利权人: 广州市儒兴科技股份有限公司,无锡市儒兴科技开发有限公司
- 当前专利权人: 广州市儒兴科技股份有限公司,无锡市儒兴科技开发有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省广州市萝岗区瑞发路16号(1)栋;
- 代理机构: 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 费雯
- 主分类号: H01B1/16
- IPC分类号: H01B1/16 ; H01B1/22 ; H01B13/00 ; H01L31/0224
摘要:
本发明公开了一种具有良好烧穿氮化硅层能力的铝浆及其制备方法,属于电池电极浆料领域。本发明所述铝浆包含以下重量百分比的组分:铝粉64‑72%,银铝合金粉0‑10%,玻璃粉2‑5%,有机助剂1‑3%,有机粘合剂14.9‑26.5%,锡粉0.1‑3%,铝硅合金粉1‑5%;所述玻璃粉由V2O5、P2O5、Sb2O3、ZnO、Bi2O3、Na2O和碱土金属氧化物组成;本发明提供的具有良好烧穿氮化硅层能力的铝浆,在烧结过程中可以与氮化硅膜层完全反应,进而与电池底部Si基底或者Poly‑Si层形成良好的接触,并且可以通过调整铝浆的组分而控制铝粉颗粒与基底的反应程度和铝层自身的烧结程度。
公开/授权文献
- CN114783651B 一种具有良好烧穿氮化硅层能力的铝浆及其制备方法 公开/授权日:2024-06-25