一种压接结构的碳化硅器件及其制造方法，包括管座、过渡片、碳化硅芯片、连桥、绝缘块、缓冲片和管帽，管帽安装于管座上部；管座包括依次连接的下压块、封接环、陶瓷环、散热环、座法兰；管座内部安装绝缘块；缓冲片固定于管帽和绝缘块之间；散热环内侧通过过渡片安装碳化硅芯片，碳化硅芯片安装连桥，连桥连接下压块。通过散热环多边形结构布局实现多个碳化硅芯片均流并联，通过散热环、连桥、上压块、下压块、缓冲片组成散热结构实现三维立体冷却，提高了器件通流能力；将碳化硅芯片通过纳米银低温烧结工艺实现互连，与现有硅基器件对比，碳化硅器件能工作在更高频率、更高温度下，可满足200℃～300℃的工作环境要求。