发明授权
- 专利标题: 集成电路及其形成方法
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申请号: CN202210677361.4申请日: 2022-06-16
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公开(公告)号: CN114783998B公开(公告)日: 2022-09-02
- 发明人: 陈维邦 , 郑志成
- 申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 专利权人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 代理机构: 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 周耀君
- 主分类号: H01L27/06
- IPC分类号: H01L27/06 ; H01L49/02 ; H01L21/8234
摘要:
本发明提供一种集成电路。所述集成电路中,衬底包括第一电容区和第二电容区,衬底上表面形成有层间介质层;至少两个第一极板间隔设置在第一电容区的层间介质层上,相邻两个第一极板的侧壁相对并构成第一沟槽的侧表面;至少两个第二极板间隔设置在第二电容区的层间介质层上,相邻两个第二极板的侧壁相对并构成第二沟槽的侧表面;介电层覆盖第一和第二沟槽的内表面;第一电容包括相邻两个第一极板和它们之间的介电层,第二电容包括相邻两个第二极板和它们之间的介电层,且第一极板和第二极板的纵截面形状不同,从而可以在一衬底上形成不同的第一电容和第二电容,有助于提高集成电路的多元性。本发明还提供一种集成电路的形成方法。
公开/授权文献
- CN114783998A 集成电路及其形成方法 公开/授权日:2022-07-22
IPC分类: