- 专利标题: 一种低损耗低磁致伸缩取向硅钢材料及其制备方法
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申请号: CN202210501440.X申请日: 2022-05-09
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公开(公告)号: CN114807559B公开(公告)日: 2023-07-18
- 发明人: 何强 , 聂京凯 , 韩钰 , 何承绪 , 樊超 , 马光 , 田一
- 申请人: 国网智能电网研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人: 国网智能电网研究院有限公司
- 当前专利权人: 国网智能电网研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 张丹锡
- 主分类号: C21D8/12
- IPC分类号: C21D8/12 ; C21D1/26 ; C21D1/68 ; C21D1/74 ; H01F41/02
摘要:
本发明提供一种低损耗低磁致伸缩取向硅钢材料的制备方法,步骤包括:选取取向硅钢带;对取向硅钢带进行至少一次冷轧;对冷轧后的取向硅钢带进行再结晶退火;在退火后的取向硅钢带表面涂覆氧化镁涂层,然后二次退火;在二次退火后的取向硅钢带表面涂覆张应力涂层,然后烧结;细化磁畴,得到所述低损耗低磁致伸缩取向硅钢材料;其中所述冷轧总压下率为15%‑25%。本发明还提供了上述制备方法得到的取向硅钢材料。本发明制备方法操作简单,可以有效降低成本和能源消耗,满足企业高效率、低碳排放的生产需求;制得的低损耗低磁致伸缩取向硅钢材料磁感高、损耗低,同时适用于工频和中频条件,且在两种频率条件下带材均能保持低磁致伸缩水平。
公开/授权文献
- CN114807559A 一种低损耗低磁致伸缩取向硅钢材料及其制备方法 公开/授权日:2022-07-29