- 专利标题: 一种高熵合金/Ti3SiC2多层复合涂层及其制备方法
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申请号: CN202210474405.3申请日: 2022-04-29
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公开(公告)号: CN114807872B公开(公告)日: 2022-12-16
- 发明人: 谢仕芳 , 魏仕勇 , 胡强 , 谌昀 , 万珍珍 , 金莹
- 申请人: 江西省科学院应用物理研究所
- 申请人地址: 江西省南昌市高新技术开发区昌东大道7777号
- 专利权人: 江西省科学院应用物理研究所
- 当前专利权人: 江西省科学院应用物理研究所
- 当前专利权人地址: 江西省南昌市高新技术开发区昌东大道7777号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 赵琪
- 主分类号: C23C14/32
- IPC分类号: C23C14/32 ; C23C14/35 ; C23C14/16 ; C23C14/06 ; C23C14/58
摘要:
本发明提供了一种高熵合金/Ti3SiC2多层复合涂层及其制备方法,属于复合涂层技术领域。本发明采用多层交替设置高熵合金层和Ti3SiC2层的方式,TiVNbMoTaW能够抑制Ti3SiC2晶粒的异常长大,从而缓解Ti3SiC2MAX相在高温下的各向异性,保证Ti3SiC2高温下的高导电导热性能。多层交替设置TiVNbMoTaW层和Ti3SiC2层,能够改善Ti3SiC2材料脆性,提高复合涂层与基体的结合强度。另外,高熔点和高固溶强化的TiVNbMoTaW难熔高熵合金层具有良好的高温热稳定性和高温强度,同时还含超导电性的Ti、Nb、Ta元素,使得复合涂层具有优异的高温强度外还兼有良好的导电性。
公开/授权文献
- CN114807872A 一种高熵合金/Ti3SiC2多层复合涂层及其制备方法 公开/授权日:2022-07-29
IPC分类: