本申请提出了一种芯片内部SPAD单点雪崩电压的测量方法及其应用，包括以下步骤：S1、将SPAD外接反向偏置电压；S2、在无光条件下，将反向偏置电压从初始设定电压以每一设定间隔电压为单位步进调节，分别记录不同偏置电压下该SPAD输出信号在设定时间周期内的脉冲数量；S3、在均匀散射光条件下，将反向偏置电压从初始设定电压以每一设定间隔电压为单位步进调节，分别记录不同偏置电压下该SPAD输出信号在设定时间周期内的脉冲数量；S4、依据无光条件下和均匀散射光条件下同电压的脉冲数量的差值，计算出该SPAD的雪崩电压。本申请具有无需电流测量装置，测试环境简单，测量方便的优点。