Invention Publication
- Patent Title: 一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体
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Application No.: CN202210441930.5Application Date: 2022-04-25
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Publication No.: CN114822467APublication Date: 2022-07-29
- Inventor: 秦朝烨 , 高文亮 , 褚福磊
- Applicant: 清华大学
- Applicant Address: 北京市海淀区清华园1号
- Assignee: 清华大学
- Current Assignee: 清华大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华园1号
- Agency: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- Agent 薛异荣
- Main IPC: G10K11/172
- IPC: G10K11/172

Abstract:
本发明公开了一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体,包括:沿着声子晶体的中心轴方向排列的第一元胞单元至第N元胞单元;任意一个第k元胞单元包括第k均截面梁段和第k变截面梁段,第k变截面梁段朝向第k均截面梁段一侧的端面面积等于第k均截面梁段的横截面面积,自第k变截面梁段朝向第k均截面梁段的一侧至第k变截面梁段背向第k均截面梁段的一侧的方向上,第k变截面梁段的横截面面积递减;第k1元胞单元中的第k1变截面梁段与第k2元胞单元中第k2均截面梁段连接,第k1变截面梁段朝向第k2均截面梁段的一侧的端面面积小于第k2均截面梁段的横截面面积。基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体能实现低频宽带减振。
Public/Granted literature
- CN114822467B 一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体 Public/Granted day:2022-12-09
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