- 专利标题: 一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体
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申请号: CN202210441930.5申请日: 2022-04-25
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公开(公告)号: CN114822467A公开(公告)日: 2022-07-29
- 发明人: 秦朝烨 , 高文亮 , 褚福磊
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 薛异荣
- 主分类号: G10K11/172
- IPC分类号: G10K11/172
摘要:
本发明公开了一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体,包括:沿着声子晶体的中心轴方向排列的第一元胞单元至第N元胞单元;任意一个第k元胞单元包括第k均截面梁段和第k变截面梁段,第k变截面梁段朝向第k均截面梁段一侧的端面面积等于第k均截面梁段的横截面面积,自第k变截面梁段朝向第k均截面梁段的一侧至第k变截面梁段背向第k均截面梁段的一侧的方向上,第k变截面梁段的横截面面积递减;第k1元胞单元中的第k1变截面梁段与第k2元胞单元中第k2均截面梁段连接,第k1变截面梁段朝向第k2均截面梁段的一侧的端面面积小于第k2均截面梁段的横截面面积。基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体能实现低频宽带减振。
公开/授权文献
- CN114822467B 一种基于梯度声黑洞结构带隙调控的声子晶体 公开/授权日:2022-12-09