本发明提供一种光刻胶去除工艺及半导体制造工艺，涉及半导体制造工艺技术领域。该光刻胶去除工艺包括：剥离衬底上的光刻胶并得到附着有残留光刻胶的衬底；将附着有残留光刻胶的衬底放入腔室内，并将腔室内的环境温度调节至大于或等于预设温度，再向腔室内持续通入惰性气体，同时每隔第一时长向腔室内通入含氢气体以去除衬底上的残留光刻胶。本发明提供的光刻胶去除工艺利用大于或等于预设温度(预设温度可以为290℃‑310℃)的环境温度和含氢气体可以有效去除残留光刻胶，且间断通入含氢气体，可以在去除光刻胶的同时防止衬底长时间持续处于高温高比例含氢气体环境而被损伤，进而可以提升产品良率。