- 专利标题： 一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法
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申请号： CN202210269820.5申请日： 2022-03-18
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公开(公告)号： CN114843184A公开(公告)日： 2022-08-02
- 发明人: 朱家铎 , 尚蔚 , 许晟瑞 , 党魁 , 张金风 , 张进成 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构： 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 高晓倩
- 主分类号： H01L21/329
- IPC分类号： H01L21/329 ; H01L21/205 ; H01L29/20 ; H01L29/207 ; H01L29/868 ; C23C16/30
摘要：
本发明提供的一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法，通过使用MOCVD工艺在GaN的N型层2上生长B含量可调的BGaN本征层3，来高效调制本征层载流子寿命，满足快恢复、微波开关等多种需求。同时本发明使得BGaN/GaN异质结处二维电子气浓度降低，可以减小器件的寄生电容。