发明授权
- 专利标题: 高镍单晶无钴正极材料及其制备方法
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申请号: CN202210362430.2申请日: 2022-04-07
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公开(公告)号: CN114843458B公开(公告)日: 2023-11-07
- 发明人: 孙琦 , 邱祥云 , 张姝 , 尹元 , 张涛 , 戴作强
- 申请人: 青岛乾运高科新材料股份有限公司 , 青岛大学
- 申请人地址: 山东省青岛市城阳区青大工业园裕园七路18号;
- 专利权人: 青岛乾运高科新材料股份有限公司,青岛大学
- 当前专利权人: 青岛乾运高科新材料股份有限公司,青岛大学
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市城阳区青大工业园裕园七路18号;
- 代理机构: 青岛发思特专利商标代理有限公司
- 代理商 张洒洒
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/525 ; H01M4/583 ; H01M10/0525 ; C01G51/00
摘要:
本发明公开了一种高镍单晶无钴正极材料及其制备方法,属于电池材料制备技术领域。其技术方案为:高镍单晶无钴正极材料的结构通式为LiNiaMnbAcBdO2@C,其中a+b+c=1,a≥0.6,0<c≤0.1,0<d≤0.1;A为Ta、Mg、Al、Ga、Nb、Ti中的一种或多种,B为F、Cl、S中的一种或多种,C为蔗糖、葡萄糖、柠檬酸中的一种或多种。本发明通过无钴化设计,降低材料成本及对稀缺资源的依赖;利用阴阳离子共掺,可以抑制阳离子混排,有效增强过渡金属‑阴离子间键能并降低释氧等副反应;运用多步熔盐法,获得形貌一致且分散性较好的产物,无需高能破碎,降低能源消耗;通过表面碳包覆,提升界面稳定性。
公开/授权文献
- CN114843458A 高镍单晶无钴正极材料及其制备方法 公开/授权日:2022-08-02