一种碳化硅晶片兆声清洗工艺
摘要:
本发明涉及一种碳化硅晶片兆声清洗工艺,先将待清洗的碳化硅晶片置于旋转式兆声波清洗设备,并利用清洗液进行间歇式兆声清洗;对经过兆声清洗后的碳化硅晶片使用纯水进行清洗、烘干、封装并储存。本发明对碳化硅晶片在频率为2000KHz的兆声清洗下,只需清洗7.7min即可清洗干净,清洗效率高(现有兆声清洗最少20min),清洗效果好,能够最大限度降低对碳化硅晶片表面的损伤,应用价值高,实施效果好。
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