发明授权
- 专利标题: 磁场增强组件及磁场增强器件
-
申请号: CN202110183924.X申请日: 2021-02-10
-
公开(公告)号: CN114910844B公开(公告)日: 2024-04-19
- 发明人: 赵乾 , 池中海 , 郑卓肇 , 孟永钢 , 易懿 , 王亚魁 , 周济
- 申请人: 清华大学 , 北京清华长庚医院
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园;
- 专利权人: 清华大学,北京清华长庚医院
- 当前专利权人: 清华大学,北京清华长庚医院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园;
- 代理机构: 北京华进京联知识产权代理有限公司
- 代理商 魏朋
- 主分类号: G01R33/34
- IPC分类号: G01R33/34 ; G01R33/38
摘要:
本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三电极层。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层包括第一子电极层、第二子电极层和连接于第一子电极层和第二子电极层之间的第一连接层。第二电极层和第三电极层宽度相等且相对间隔设置于第二表面。第二电极层、第一电介质层和第一子电极层构成第二结构电容。第三电极层、第一电介质层和第二子电极层构成第三结构电容。第一连接层的宽度小于第一子电极层的宽度。检测部位被所述第一电极层覆盖的区域减小,第一电极层的屏蔽效果减弱,反馈信号的传输能力增强,信号质量提高。
公开/授权文献
- CN114910844A 磁场增强组件及磁场增强器件 公开/授权日:2022-08-16