- 专利标题: 一种金刚石基稀土掺杂单层或多层功能薄膜的制备方法
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申请号: CN202210420722.7申请日: 2022-04-21
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公开(公告)号: CN114921773A公开(公告)日: 2022-08-19
- 发明人: 李成明 , 操淑琴 , 黄亚博 , 马金彪 , 陈良贤 , 刘金龙 , 魏俊俊 , 郑宇亭
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 北京市广友专利事务所有限责任公司
- 代理商 张仲波
- 主分类号: C23C16/511
- IPC分类号: C23C16/511 ; C23C16/40
摘要:
一种金刚石基稀土掺杂单层或多层功能薄膜的制备方法。本发明在金刚石表面镀制镧(La)掺杂单层或多层稀土氧化膜(X2O3,X代表稀土元素),形成金刚石膜表面带有La掺杂单层或多层稀土氧化功能薄膜材料。首先对采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)制备的金刚石膜进行激光平整化、抛光、酸洗以及丙酮和酒精清洗后获得热导率≥2000w/(m·K)金刚石膜;再通过磁控溅射方法在双面抛光金刚石膜单面沉积La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜,进而获得金刚石基La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜材料。本发明金刚石基La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜具有较好的光学透过率、高介电常数、宽禁带宽度和优异热稳定性,适用于MOSFET器件介质层和红外窗口应用需求。
公开/授权文献
- CN114921773B 一种金刚石基稀土掺杂单层或多层功能薄膜的制备方法 公开/授权日:2023-03-31
IPC分类: