发明授权
- 专利标题： 一种稀土基绝缘材料及其制备工艺
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申请号： CN202210431910.X申请日： 2022-04-22
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公开(公告)号： CN114940804B公开(公告)日： 2023-06-09
- 发明人: 胡婷 , 卢灿忠 , 戴露 , 傅春花 , 包汉新 , 卜佑森 , 何谦凤 , 张昌瑞
- 申请人： 厦门稀土材料研究所
- 申请人地址： 福建省厦门市集美区兑山西珩路258号
- 专利权人： 厦门稀土材料研究所
- 当前专利权人： 厦门稀土材料研究所
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市集美区兑山西珩路258号
- 代理机构： 厦门律嘉知识产权代理事务所
- 代理商 张辉
- 主分类号： C08L63/00
- IPC分类号： C08L63/00 ; C08K3/22 ; C08K9/06 ; C08K9/12 ; C08K3/14 ; C08K9/02
摘要：
本发明公开了一种稀土基绝缘材料及其制备工艺，属于绝缘材料领域，一种稀土基绝缘材料，按质量份包括如下组分：环氧树脂90‑110份，无机填料50‑300份，沉积吸附于无机填料表面的Mxenes纳米体1‑7份，固化剂75‑90份，硅烷偶联剂1‑3份。本发明的稀土基绝缘材料及其制备工艺，将Mxenes纳米体沉积吸附于无机填料，提高了填料在树脂中的分散效果，优化了界面结合，降低了填料的团聚沉降，抗紫外老化性能和导热性能均更优异。
公开/授权文献
- CN114940804A 一种稀土基绝缘材料及其制备工艺 公开/授权日：2022-08-26
