- 专利标题: 提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质
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申请号: CN202210889168.7申请日: 2022-07-27
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公开(公告)号: CN114978043B公开(公告)日: 2022-11-22
- 发明人: 邱文才 , 林满院 , 田学红 , 王祥仁 , 刘启昌 , 宋晓琴
- 申请人: 深圳市英特瑞半导体科技有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科技路1号桑达科技大厦1205
- 专利权人: 深圳市英特瑞半导体科技有限公司
- 当前专利权人: 深圳市英特瑞半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科技路1号桑达科技大厦1205
- 代理机构: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
- 代理商 廖永耀
- 主分类号: H03B5/12
- IPC分类号: H03B5/12 ; H03B5/04
摘要:
本发明公开了一种提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质。本发明通过获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器;将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。相对于现有技术中直接将变容二极管作为可变电容,本发明通过获取所需电容变化线性度,采用与该电容线性度相匹配的可变电容器,使得振荡频率可以随压控电压线性变化,让振荡器增益输出变得平坦。
公开/授权文献
- CN114978043A 提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质 公开/授权日:2022-08-30