- 专利标题: 一种具有高比表面积的纯相W2C纳米材料及其制备方法和应用
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申请号: CN202210624746.4申请日: 2022-06-02
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公开(公告)号: CN114988411B公开(公告)日: 2023-11-17
- 发明人: 陈赵扬 , 彭荣贵 , 褚有群 , 李灵童
- 申请人: 浙江工业大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市拱墅区潮王路18号
- 专利权人: 浙江工业大学
- 当前专利权人: 浙江工业大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市拱墅区潮王路18号
- 代理机构: 杭州天正专利事务所有限公司
- 代理商 俞慧
- 主分类号: C01B32/949
- IPC分类号: C01B32/949 ; B01J23/30 ; B01J35/00 ; B01J35/02 ; B01J35/08 ; B01J35/10 ; C25B1/04 ; C25B11/075
摘要:
本发明公开了一种具有高比表面积的纯相W2C纳米材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤:(1)将钨源和铁盐配制成混合溶液,并采用喷雾干燥的方法造粒;(2)将喷雾干燥得到的颗粒在空气氛围下进行煅烧氧化,得到钨铁氧化物前驱体;(3)将氧化物前驱体在还原性碳化气氛下采用程序升温‑气固反应法进行还原碳化,得到W2C/Fe复合材料;(4)将W2C/Fe复合材料投入盐酸溶液中进行酸洗后,洗涤,固液分离,干燥得到纯相W2C纳米材料。本发明提供了所述的纯相W2C纳米材料作为电催化剂在析氢反应中的应用。本发明所述的高比表面积纯相W2C纳米材料相比于WC可明显提高催化转化效率。
公开/授权文献
- CN114988411A 一种具有高比表面积的纯相W2C纳米材料及其制备方法和应用 公开/授权日:2022-09-02