发明授权
- 专利标题: 一种硅基负极极片及其制备方法和应用
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申请号: CN202210665966.1申请日: 2022-06-13
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公开(公告)号: CN115000407B公开(公告)日: 2023-06-09
- 发明人: 张小祝 , 苏敏 , 陈云 , 李凡群
- 申请人: 万向一二三股份公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区建设二路855号
- 专利权人: 万向一二三股份公司
- 当前专利权人: 万向一二三股份公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区建设二路855号
- 代理机构: 杭州杭诚专利事务所有限公司
- 代理商 祝欢欢
- 主分类号: H01M4/62
- IPC分类号: H01M4/62 ; H01M4/131 ; H01M4/133 ; H01M4/134 ; H01M4/1391 ; H01M4/1393 ; H01M4/1395 ; H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/485 ; H01M4/587 ; H01M10/0525
摘要:
本发明涉及锂电池领域,针对负极片高容量和全电池高首效、循环性能不可兼得的问题,提供一种硅基负极极片及其制备方法和应用,硅基负极极片包含集流体、第一涂覆层和第二涂覆层,所述第一涂覆层包括含硅活性物质A1、导电剂和粘结剂体系A2,所述第二涂覆层包括含硅活性物质B1、导电剂和粘结剂体系B2,所述含硅活性物质A1由高首效硅氧负极材料和人造石墨组成,所述粘结剂体系A2包括CMC和PAA,所述含硅活性物质B1由常规硅氧负极材料、纳米硅材料中的一种或多种和人造石墨组成,所述粘结剂体系B2包括CMC和SBR。本发明的硅基负极极片应用在锂离子电池中,电池有更高的首次效率与良好的循环稳定性。
公开/授权文献
- CN115000407A 一种硅基负极极片及其制备方法和应用 公开/授权日:2022-09-02