发明公开
- 专利标题: 超高正弦孔道暴露比ZSM-5分子筛及其制备方法
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申请号: CN202210747667.2申请日: 2022-06-28
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公开(公告)号: CN115028176A公开(公告)日: 2022-09-09
- 发明人: 王凯 , 赵帅 , 张允 , 杜慧 , 付艳华 , 郑勇 , 周忠源
- 申请人: 安阳工学院
- 申请人地址: 河南省安阳市文峰区黄河大道1号
- 专利权人: 安阳工学院
- 当前专利权人: 安阳工学院
- 当前专利权人地址: 河南省安阳市文峰区黄河大道1号
- 代理机构: 郑州博骏知识产权代理事务所
- 代理商 赵云
- 主分类号: C01B39/38
- IPC分类号: C01B39/38 ; B01J20/18 ; B01J20/30 ; C07C7/13 ; C07C15/08
摘要:
本发明公开了超高正弦孔道暴露比ZSM‑5分子筛及其制备方法,属在无机化学技术领域。以“结构单元mfi”作为晶种(mfi结构单元属在MFI结构四个基本组成单元之一),具体制备过程包括三个步骤:1)“mfi结构单元”制备,将MCM‑35分子筛粉末(wt%=0.05~0.5)加入到pH=12~15氢氧化钠溶液中进行碱处理;2)以“结构单元mfi”为晶种的水热合成,将碱处理混合物进行冷却,依次加入硅源与铝源,在15~30℃下搅拌0.5~3小时后将合成前躯体装入反应釜并转移至均相反应器中晶化;3)产物收集,晶化产物经离心分离、洗涤至中性、干燥后得到95%超高正弦孔道暴露比ZSM‑5分子筛。该分子筛其表面超高正弦孔道暴露比,在二甲苯异构体分离过程中展示了显著提升对二甲苯选择性,同时其制备过程操作简单、成本低。
公开/授权文献
- CN115028176B 超高正弦孔道暴露比ZSM-5分子筛及其制备方法 公开/授权日:2023-11-28
IPC分类: